Laser THZ a semiconduttore incorporante guida d'onda a confinamento plasmonico controllato

A semiconductor laser includes an active region that, in response to an applied pumping energy, can produce stimulated emission of radiation with a central wavelength in the far-infrared region, and a confinement region suitable for confining the radiation in the active region and including at least one interface between adjacent layers capable of supporting surface plasmonic modes generated by the interaction of the interface with the radiation. The confinement region includes a wave guide layer bounded on opposite sides by a first interface and a second interface. The guide layer is equipped such that the first and second interfaces are capable of supporting plasmonic modes, respectively, and is thick enough to result in the accumulation of plasmonic modes in the vicinity J of the first and second interfaces, on the outside of the layer, and substantially a suppression of plasmonic modes, on the inside of the layer.

Un laser semiconduttore comprende una regione attiva che, in risposta a un'energia di pompaggio applicata, può produrre un'emissione stimolata di radiazioni con una lunghezza d'onda centrale nella regione dell'infrarosso lontano, e una regione di confinamento adatta a confinare la radiazione nella regione attiva e comprendente almeno un'interfaccia tra strati adiacenti in grado di supportare i modi plasmonici di superficie generati dall'interazione dell'interfaccia con la radiazione. La regione di confinamento comprende uno strato guida d'onda delimitato su lati opposti da una prima interfaccia e da una seconda interfaccia. Lo strato guida è equipaggiato in modo tale che le prime e le seconde interfacce siano in grado di supportare i modi plasmonici, rispettivamente, e ha uno spessore tale da determinare l'accumulo dei modi plasmonici in prossimità J delle prime e delle seconde interfacce, all'esterno dello strato, e sostanzialmente una soppressione dei modi plasmonici, all'interno dello strato.