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EnglishSe-doping dependence of the transport properties in CBE-grown InAs nanowire field effect transistors / Leonardo Viti;Miriam S Vitiello;Daniele Ercolani;Lucia Sorba;Alessandro Tredicucci. - In: NANOSCALE RESEARCH LETTERS. - ISSN 1556-276X. - 7(2012), p. 159. [10.1186/1556-276X-7-159]
| Titolo: | Se-doping dependence of the transport properties in CBE-grown InAs nanowire field effect transistors | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2012 | |
| Rivista: | ||
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-7-159 | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11384/37036 | |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
| File | Descrizione | Tipologia | Licenza | |
|---|---|---|---|---|
| viti2012-Nanosc.Res.Lett.-7-159.pdf | Post-print / Author's accepted manuscript | Non pubblico | Administrator Richiedi una copia |
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