Se-doping dependence of the transport properties in CBE-grown InAs nanowire field effect transistors / Leonardo Viti;Miriam S Vitiello;Daniele Ercolani;Lucia Sorba;Alessandro Tredicucci. - In: NANOSCALE RESEARCH LETTERS. - ISSN 1556-276X. - 7(2012), p. 159.
Titolo: | Se-doping dependence of the transport properties in CBE-grown InAs nanowire field effect transistors |
Autori: | |
Data di pubblicazione: | 2012 |
Rivista: | |
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-7-159 |
Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
File | Descrizione | Tipologia | Licenza | |
---|---|---|---|---|
viti2012-Nanosc.Res.Lett.-7-159.pdf | Post-print / Author's accepted manuscript | Non pubblico | Administrator Richiedi una copia |
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.